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宽禁带功率半导体器件高温封装材料及工艺研讨会取得圆满成功

发布日期:2017-05-23  浏览次数:838
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   2017年5月18日,由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟主办,佛山市蓝箭电子股份有限公司承办的“宽禁带功率半导体器件高温封装材料及工艺研讨会”在广东佛山顺利召开。此次专题会议主要议题为“探讨高温封装对材料的特殊要求及解决方案;探讨解决高温封装工艺的方案”。与会领导、业内专家学者、企业家60余人参加此次专题会议。工信部电子信息司集成电路处龙寒冰副处长代表行业主管部门就会议的召开表示祝贺;会议承办单位佛山市蓝箭电子股份有限公司袁凤江总经理对大家的到来表示欢迎。

  

 

  会议报告环节,业内技术专家、有关企业界代表围绕“器件高温封装材料及工艺”作了精彩的报告:湖南大学沈征教授作了“宽禁带半导体高温应用与封装技术的挑战”报告;浙江大学郭清教授作了“碳化硅模块高温封装技术调研”报告;中车株洲时代电气股份有限公司李诚瞻博士作了“SiC器件高温封装的技术方案探讨”报告;中山大学刘扬教授作了“GaN功率开关器件及封装技术”报告;天津大学梅云辉教授作了“高温封装材料的状况及发展”报告;河北中瓷电子科技有限公司刘志平总工程师作了“高温管壳的探讨”报告;淄博市临淄银河高技术开发有限公司总经理李磊作了“SiC器件高温封装用陶瓷覆铜板”报告;湖南大学王俊教授作了“宽禁带半导体功率器件的特性”报告;广州汉源新材料股份有限公司副总工程师杜昆作了“高温焊锡的探讨”报告;湖南利德电子浆料股份有限公司副总经理任希作了“有机硅材料在高温设备中的应用”报告。专家们的精彩演讲,更新了与会代表对高温封装材料及工艺的认识,获得了很多启发,对之后的研发和生产具有积极的引导作用。

  

 

  会议研讨环节,参会代表都抓住这次难得的交流机会,与现场专家积极互动,深入探讨器件高温封装材料及有关工艺的问题,你来我往甚至热烈。

  最后,肖向锋秘书长做了会议总结,提出了下一步工作的计划和重点,并宣布宽禁带功率半导体器件高温封装材料及工艺研讨会取得圆满成功!


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