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美高森美公司推出军事宇航电极控制用SiC MOSFET功率模块

发布日期:2018-06-08  浏览次数:715
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   美国美高森美(Microsemi)公司推出SP6LI碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET)功率模块,适用于军事、宇航、工业、汽车和医疗领域中开关电源和电机控制。

 

  图为SP6LI MOSFET

  封装优势

  该功率模块所用封装专为SP6LI产品系列而研发,适用于SiC MOSFET技术,支持大电流、高开关频率以及高效率,具有紧凑的外形尺寸,帮助客户进一步减小设备的尺寸。

  主要性能

  该产品系列有五款型号,具有超低电感、大电流和低导通电阻等优点,杂散电感低至2.9纳亨,导通电阻可低至2.1毫欧/开关,采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二极管组成的拓扑结构,电压范围从1200V(@210-586A、80℃壳温)到1700V(@207A、80℃壳温)。

  其他优点

  该产品系列包含一个内部热敏电路用于温度控制;包含用于信号和功率互联的用螺钉固定的终端,以及隔离的高导热能力的衬底来改进热性能,该衬底默认是氮化铝,也可选氮化硅;可以用AlSiC替代标准的铜基板以实现更高功率循环能力。

  应用领域

  应用包括飞机驱动系统、发电系统、电动汽车和混合动力汽车(EV/HEV)的动力总成和回收系统、感应加热中的开关模式电源、医疗电源和电气化列车。


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