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中宽联《微波器件用Φ100mm高纯半绝缘4H-SiC衬底标准》研讨会顺利召开

发布日期:2018-07-02  浏览次数:170
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   6月27日,由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟(以下简称中宽联)组织的《微波器件用Φ100mm高纯半绝缘4H-SiC衬底标准》研讨会在联盟北京办事处顺利召开。

 

  此次研讨会由中宽联肖向锋秘书长主持,邀请了中国电子技术标准化研究院基础产品研究中心王宝友主任、中国电器工业协会电力电子分会蔚红旗秘书长、中国电子技术标准化研究院高级工程师张秋,以及来自中国电子科技集团第十三研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、中国电子科技集团第四十六研究所、中国电子科技集团第二研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、台州市一能科技有限公司等单位的专家对山东天岳公司牵头起草的《微波器件用Φ100mm高纯半绝缘4H-SiC衬底标准》草案进行讨论。会议形成了标准修改意见,为后期定稿起到了积极促进作用。

  标准工作是中宽联2018年重点工作之一,联盟将在团体标准起草制定的基础上,继而推进成行业标准或国家标准。此项工作对规范行业发展具有重要意义。


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