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中宽联“中低压SiC肖特基二极管”和 “中低压SiC功率MOSFET”产品标准研讨会顺利召开

发布日期:2018-07-16  浏览次数:121
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   7月6日,由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟(以下简称中宽联)组织的 “中低压SiC肖特基二极管”和“中低压SiC功率mosFET”产品标准研讨会在中国电子科技集团第五十五研究所(以下简称中国电科55所)顺利召开。

  中宽联组织邀请了工信部电子四院、中国电器工业协会电力电子分会、中国电科55所、株洲中车、全球互联网研究院、山东天岳等单位相关领导、专家共同参会研讨。

 

  会上,标准牵头单位中国电科55所的标准设计师分别汇报了两个标准内容初稿,对标准适用范围、引用文件、电特性、检验要求、测量及试验方法等方面进行了详细解释。与会专家认真听取汇报后并进行讨论,最终在规范格式、温度范围、抽样方案等方面形成评审意见。同时讨论了后续工作内容,明确标准修改反馈等时间节点。

 

  与Si材料相比,SiC具备众多优异特性,研制的SiC二极管和MOSFET器件在电性能和可靠性等方面存在诸多与Si电力电子器件不同之处,目前业内尚未形成针对SiC特征参数的标准测试方法。此次编制的两个标准中对肖特基二极管容性电荷、热阻、雪崩能量、MOSFET阈值电压等测试方法进行了研究和总结,标准草案得到与会专家一致认可。


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