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比利时EpiGaN公司将展示5G用GaN外延片解决方案

发布日期:2018-09-03  浏览次数:97
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   比利时EpiGaN公司将在中国台湾半导体展会(9月5日-7日)以及欧洲微波周(9月23日-28日)展示其为5G应用量身打造的最新的氮化镓(GaN)外延晶片。

  对于5G应用,EpiGaN公司发布了大直径版本的HVRF(高压射频)硅基氮化镓(GaN-on-Si)以及碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片产品系列。客户可以从各种优化的顶部结构中选择,以最好地满足其特定的射频(RF)器件需求——铝镓氮(AlGaN)、氮化铝(AlN)或铟铝氮(InAlN)阻挡层与GaN或原位氮化硅(SiN)覆盖层结合——在直径达200mm的硅衬底以及直径达150mm的SiC衬底上。

  EpiGaN公司声称其HVRF产品具有出色的动态性能,在毫米波频率下功率密度最高,RF损耗最低(小于0.8dB/mm,最高可达110GHz)。

  为了在分配给5G的30GHz和40GHz毫米波段中实现最佳射频性能,EpiGaN公司开发了高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结构,其特点是超薄的AlN阻挡层与原位SiN覆盖层相结合。这带来了5G单片微波集成电路(MMIC)开发所需的远优于RF晶体管特性。具有晶格匹配的InAlN阻挡层的HEMT结构表现出低于250欧姆/平方的薄层电阻率,并且能够实现最高的晶体管电流密度。

  EpiGaN公司联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士表示:“我们注意到市场对5G系统用RF GaN产品解决方案优化的需求不断增加,EpiGaN很自豪能够提供极为广泛的RF GaN外延片产品系列,使我们的全球客户群能够开发具有业界领先性能的差异化5G蜂窝网络解决方案。”

  来源:大国重器


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